IS46TR16256B-107MBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS46TR16256B-107MBLA1 |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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190+ | $8.8181 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Supplier Device-Gehäuse | 96-TWBGA (9x13) |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
Verpackung / Gehäuse | 96-TFBGA |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Gbit |
Speicherorganisation | 256M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 933 MHz |
Zugriffszeit | 20 ns |
IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
ISSI FBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Automotive (Tc: -40 to +105C), 4
Automotive (Tc: -40 to +105C), 4
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G
IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS46TR16256B-107MBLA1ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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